Индекс форумов |
Исходное сообщение |
---|
"Содержимое ячеек DRAM может быть повреждено в результате цик..." Отправлено Сергей, 25-Дек-14 15:54 |
Описание конечно бредовое, я так понимаю, что поскольку конденсаторы находятся "рядом" и влияют друг на друга, то изменение состояния соседнего может вызвать утечку заряда с соседнего(близко расположенного), но в любом случае утечка через транзистор должна быть гораздо больше. Так что это или разгон или недоработка производителей памяти... |
При общении не допускается: неуважительное отношение к собеседнику, хамство, унизительное обращение, ненормативная лексика, переход на личности, агрессивное поведение, обесценивание собеседника, провоцирование флейма голословными и заведомо ложными заявлениями. Не отвечайте на сообщения, явно нарушающие правила - удаляются не только сами нарушения, но и все ответы на них. Лог модерирования. |
Закладки на сайте Проследить за страницей |
Created 1996-2024 by Maxim Chirkov Добавить, Поддержать, Вебмастеру |